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第319章 碲汞镉启动（第2页）

高振东点点头：“我们搞碲汞镉晶体！”

俞允成听见这话，就是一愣，说实话，他不知道碲汞镉是什么东西，这玩意是1959年才被弄出来的，这时候的国内，基本上没人知道这是什么玩意。

“碲汞镉？是什么东西？”甚至他都不能确定这玩意是碲汞镉还是碲汞铬。

高振东拿过纸笔，在纸上写下了HgCdTe这个不算是化学式的化学式，俞允成这才能确认高振东说的是个什么玩意，但是这东西用来做什么，他还是一无所知。

高振东又继续将碲汞镉材料的特性做了一个介绍，俞允成越听越激动，这是一种非常好的光电半导体材料啊，而且波段覆盖范围还宽，性能结构又稳定，这玩意做起来，那就是真有意思了。

可是他又有一些畏难，这东西完全一无所知啊简直是。

“高主任，这东西好是好，我们能搞嘛？”

高振东笑着点点头：“把握还是有一些的，我已经根据它的结构、性质、组分等等原理，从冶金和晶相等角度出发，摸索了一种制备方法，把握还是有一些的，至少先得到化合物是没问题，至于高质量的晶体，也有一定的把握。”

高振东这话，就说得俞允成汗毛都竖起来了，从原理硬算硬推么？这玩意现在哪儿来的原理啊，你要不说有这东西，我们谁都想不到还有这玩意，红外探测这一块还在和硫化铅较劲呢，你说你都是怎么算的？

不过他知道高振东从来不扯淡，单晶炉这玩意从一开始看来，也不像是能有条件搞出来的样子，可是事实在那儿摆着呢，现在正在天天给1274厂拉原料，同时也在马不停蹄的生产单晶炉，扩大产能。

他想不到的是，高振东不但知道有这东西，他还有这玩意的晶格常数、密度、Te-Cd-Hg三元相图、HgTe-CdTe伪二元相图、较为准确的分凝系数、热学性质、汞蒸汽压、电学性质等等一系列十年几十年后的数据和成果。

这么说吧，哪怕是HgCdTe在1959年的发明者，都没有高振东手上的资料来得齐全和准确。

虽然不知道高振东信心从何而来，但他不是傻子，高主任完全没必要拉着自己开玩笑，他没有多犹豫：“高主任，你说怎么干就怎么干。”

高振东笑了：“行，不过这个东西你要有心理准备，不是一天两天能搞得成的，整个流程非常漫长，一次试验，可能要用几个月乃至半年才能搞完。”

由于汞蒸汽压等等原因，碲汞镉的晶体生长非常困难，不论是体晶体还是薄膜晶体，虽然办法很多，但是都挺麻烦的，晶体生长缓慢不说，而且退火等工艺要求高时间长，动不动就是几十天几十天的搞。

这就让整个试验耗日持久，不是有决心有毅力的人，搞不下来。

对于这个，俞允成无所谓，时间长点就长点，再说了，高主任可能是因为水平高，所以眼界也高。

在俞允成看来，半年做一次试验算什么问题，这种东西别说搞出晶体来了，就是先把化合物搞出来，能证实一些东西就算是重大突破了。

所以说和高主任干事儿，成就虽然高，可是压力也不小啊。

“高主任，这个伱不用担心，寂寞这东西，我们还是耐得住的。”

高振东点点头，其实他们也不用怎么担心，高振东在制备方法的选择上，还是很讲究的，选择的是一种工艺最为简单，对设备要求最低的，而且温控要求低，最重要的是，不需要晶体生长控制机构这个最为麻烦的东西。

偏偏这种办法长出来的晶体，组分均匀，结构很好，可以用于探测器级别元件的生产，而且晶体利用率很高。

当然，这玩意也不是没缺点，晶体直径小，高温缺陷多，杂质未提纯等等，但是这些对于现阶段来说，这些都不是问题。

晶体直径小，我搞线扫描的，弄长一点就好，又不是要一个圆形的平面。

至于为什么高振东很快就选定这个办法，原因也比较简单，这东西是日后几十年花旗国量产碲汞镉探测元件，最主要的晶体生长方法。

不得不说，在这方面，花旗严选还是值得信赖的。

不过这个时候，还没到把方法都拿出来的时候，现在首要的任务是，把项目批下来。

见俞允成毫不犹豫，高振东也没有拖泥带水，马上把一部分材料交给他：“那就行，你先根据这些材料，写一个研究申请，我们打到部里去，按照预先商定的，我们两个单位联合，三轧厂牵头，1761所落地。至于具体的方法这些就不用写上去了，部里应该是理解的。”

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