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第1269章（第3页）

“没用。”梁孟淞瞥了一眼，“得我来说。”

方卓问道：“为什么？”

梁孟淞淡淡地答道：“我是院士。”

方卓：“……”

嗯，梁院士。

冰芯掌门人心甘情愿的起身为梁院士倒酒。

宴会厅里共饮一杯。

第44章上上强度

冰芯内部的庆功宴并不正式，或者，与其说是庆功宴，不如说是弥合内部技术争端的一个仪式。

很显然，当梁孟淞抛出他在大量工作基础上的技术直觉之后，这个仪式很圆满。

后闸极无可置疑的成为冰芯在28nm制程节点的技术方案，而同样耗费了研发精力的前闸极将可能作为冰芯下一个制程的方案。

只要没有太过浪费，只要没有太过做无用功，那就是好的，更何况，现在比想象中还更有用一些，不少人的情绪得到很大的缓解。

等到方卓陪着胡正明教授在科大校园里漫步，谈到这件事，他不由得笑道：“谁说梁博士性子直，他这次就特别好。”

“人都是会变的，他在台记那边坐冷板凳，来到这边有你的鼎力支持，有技术上的逐渐追进，他是愿意也有能力处理好这些事情的。”胡正明微微一笑。

他继续说道：“况且，他这次用事实再次有力证明了他在技术领域的实力，以一种真理掌握在少数人手里的姿态推出后闸极方案，这对接下来的工作也很重要。”

方卓默默点头，走了一段路又笑道：“我不会是最后一个知道的吧？”

“那也不是。”胡正明指的正是冰芯下一步制程的超车发展，“这个事需要慎重，需要研发的结果支持，即便这样也还是没有把握，梁孟淞现在和你说，也有拉着你一起赌一把的意思。”

“那我应该支持吗？”方卓想聆听更多的意见。

“你知道为什么会有这样选择的可能吗？”胡正明反问。

“因为FinFET技术。”方卓回答。

“一个重要原因是这，FinFET把逻辑单元结构从平面2D转为立体3D，这和之前的技术就有了很大的差异性，而不是顺理成章的推进。”胡正明缓缓说道，“晶体管不能无限制的缩小，当它缩小到20nm左右就会遇到量子物理中的问题。”

他继续说道：“当年我就是为了解决里面的漏电现象而进行了改善，引入FinFET既能减少因物理现象所导致的漏电，也能增加接触面积，对继续缩小尺寸有帮助。”

胡正明见方总极其认真的听讲，笑道：“问题就在于这个20nm临界点，这个制程节点既可以延续原来的技术架构，也可以导入FinFET。”

方卓点头道：“英特尔选择在这个节点附近导入FinFET，台记选择不导入，三星大概也是不导入。”

这是来自厂商公布的技术路线方案，三星那边现在只谈了28nm的情况。

因为制程节点的特殊性，大家的选择类似于前后闸极方案再次出现了分岔。

“邱总呢，他判断20nm这个点在市场上的作为就像90nm那样鸡肋，梁孟淞呢，他认为这样有过渡性质的节点是可以通过导入FinFET而有所突破的。”胡正明说到这里又补了一句，“当然，也是考虑到冰芯发展的特殊情况，我们的局势总是更难一些。”

方卓凝眉细思，发现还是想听听胡教授这位大专家的意见：“胡教授，如果是你，你要怎么决策？”

冰芯在技术工艺上面临特殊的选择，也正如它在外界也可能会面临特殊的对待。

这种关头，按部就班的研发20nm是个很稳妥的选择，激进研发下一代14nm的风险就大多了。

“很难决策啊。”胡正明由衷地说道，“如果是一个月前，你这么问我，我还是支持搞20nm，因为我们一直有在多线的做这方面。”

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